数字式硅晶体少子寿命测试仪
简要描述:数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号:ZD-LT-100C 为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。
产品型号: ZD-LT-100C
所属分类:专业仪器
更新时间:2024-10-01
厂商性质:其他
品牌 | 其他品牌 | 产地 | 国产 |
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数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号:ZD-LT-100C
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。
数字式硅晶体少子寿命测试仪该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次全国十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟可靠的测试方法,特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,制样简便。
DZ-LT-100C有以下特点:
1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。
3、配备软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。
4、配置两种波长的红外光源:
a、红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b、短波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
5、测量范围宽广
测试仪可直接测量:
a、研磨或切割面:电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。
b、抛光面:电阻率在0.3~0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围 0.25μS—10ms
产品名称:数显陶瓷弯曲强度试验仪 产品型号: SGW |
数显陶瓷弯曲强度试验仪 型号: SGW
本仪器适合GB6569-2006《精细陶瓷弯曲强度试验方法》,GB1965《多孔陶瓷抗弯强度试验方法》,于作机械部件、结构材料等高强度工程陶瓷在室温下三点弯曲强度的测定,也于玻璃、耐火材料、保温材料等非金属材料的弯曲强度(即抗折强度)测试.
主要技术参数:
1、zui大载荷:10000、20000、50000(N);
2、加荷速度:5~700(N/S)可调;
3、数据微电脑处理,精度0.5%;
4、三相380V,1.5KW;
产品名称:新宇宙 手持式可燃气体检测仪 可燃气体检测仪 产品型号:XP-311II |
新宇宙 手持式可燃气体检测仪 可燃气体检测仪型号:XP-311II
手持式可燃气体检测仪特点:
☆简洁方便的大按钮操作,一目了然的模拟指针式显示,更易于使用
☆基于成熟且成功的XP-311A,专为中国市场设计。更经济,更完善。
☆具有电量不足、传感器故障、泵故障报警提示功能
☆具有高/低量程切换功能
☆具有内置泵自动采样功能
☆具有零点调整功能
手持式可燃气体检测仪规格:
型 号XP-311II (带报警)
检测对象气体可燃性气体
检 测 原 理催化燃烧式
采 样 方 法内置泵自动吸引式
检 测 范 围0~10%LEL / 0~99%LEL
指 示 精 度满量程的±2%
报 警 设 定 值20%LEL
报 警 fang 式蜂鸣器鸣叫,红色报警deng闪烁
响 应 时 间10秒以内
使用温度范围-40°C~+70°C
电 源5号干电池4只
防 爆 结 构Exibd II BT3(本安防爆设计加隔爆)
尺 寸W79×H161×D43.5(mm)
重 量约480g(含电池)
附属品便携包、背带、4节5号干电池、橡胶头(AT-2)、排污过滤器(DF-112)、过滤片(2片)