杂质浓度测试仪
产品型号: KDB-1A
产品简介
原理:根据硅、锗单晶的迁移率、电阻率和杂质浓度的关系,可直接测量、计算出晶体内的杂质浓度。
范围:它适合于测量横截面尺寸是可测量的,而且棒的长度大于横截面线度的有规则的长棒,例如横断面为圆形、正方形、长方形或梯形的单晶或多晶锭。
用途:根据测量沿锭长杂质浓度的分布状况决定产品的合格部分,通过杂质浓度的直接测量,决定晶体生长过程中的掺杂数量。
样品可在常温或低温下测量。
显示方式:仪器连接PC机,通过测试软件计算,用对数坐标的方式来显示杂质浓度(含次方数)沿锭长的分布曲线,可对曲线图进行打印和保存。
测量范围: 可测晶体电阻率:0.005-3000Ω·cm。
直流数字电压表测量范围:0-199.99mV,灵敏度:10μA。